氮化钾片

一、氮化镓(GaN)器件结构GaN外延片

氮化镓（GaN）器件，特别是基于AlGaN/GaN异质结的GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），在功率器件和射频微波器件领域展现出巨大的应用潜力。GaN外延片作为GaN器件的核心材料，其结构特性对器件性能有着至关重要的影响。一、GaN外延片的基本结构 GaN外延片一般采用Si或者SiC作为异质衬底。由于异质衬底与GaN之间存在晶格失配和热

二、氮化镓基片大解析:如何兼顾高质量与低成本？技术难点一文看透

氮化镓与碳化硅在高压和高频领域各有优势。需要研究和发展GaN-on-SiC等复合结构材料，以充分利用两者的优点，提高器件的性能和可靠性。同时，需要关注超宽禁带（UWBG）材料如氮化铝（AlN）和氧化镓（Ga₂O₃）等的发展动态，评估其对氮化镓基片技术的潜在影响。综上所述，兼顾高质量与低成本...

三、生产氮化镓的龙头上市公司

1、海陆重工（002255）：该公司旗下的江苏能化微电子科技发展有限公司专注于研发和生产以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆，并利用这些晶圆生产功率器件。2、兆驰股份（002429）：兆驰半导体能够独立完成从“蓝宝石平片到图案化基板PSS，再到LED外延片和LED芯片”的整个制作流程，生产氮化镓外延片，并提供...

[初探半导体产业]碳化硅外延和氮化镓外延区别

氮化镓（GaN）同样是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、电子饱和迁移速率高、击穿电场强等特点。氮化镓外延片材料多样，根据衬底材料的不同，可分为硅基氮化镓（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）、蓝宝石基氮化镓（GaN-on-）和氮化镓基氮化镓（GaN-on-GaN）等。不同衬底的氮化镓...

国内生产氮化镓的企业

闻泰科技：闻泰科技在车载氮化镓领域已经实现了量产，是全球优质的氮化镓供应商之一，展现了其在氮化镓技术研发和生产方面的强大实力。赛微电子：赛微电子在氮化镓外延片方面有着丰富的研发经验和技术积累，其产品在市场上具有一定的竞争力。此外，苏州纳维、东莞中镓、上海镓特、芯元基、乾照光电、聚灿光电以及...

什么是氮化镓外延片

通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN,n-GaN，量子阱，p-GaN。也就是一个LED芯片的组要结构。

氮化镓外延片工艺流程

氮化镓外延片工艺流程主要包括以下步骤：衬底准备：选择适当的衬底材料，如蓝宝石或硅基衬底。对衬底进行表面处理，去除杂质和氧化物。衬底预处理：进行清洗步骤，去除表面污染物。去除表面氧化物，进行表面活化，以提高外延生长的质量。外延生长：将衬底放入外延炉中。通过化学气相沉积或分子束外延等方法，在...

[初探半导体产业]碳化硅外延和氮化镓外延区别

2. 应用领域不同： 碳化硅外延：主要用于制作高功率、高温等特定条件下的电子器件，因其具有优异的导热性能和机械强度。 氮化镓外延：应用领域广泛，硅基氮化镓因其成本优势和快速生长速度，适用于制作大尺寸外延片，用于功率电子和微波射频等领域；碳化硅基氮化镓因其结合碳化硅的优异导热性能与氮化镓的高功率...

[初探半导体产业]碳化硅外延和氮化镓外延区别

氮化镓外延片材料种类繁多，主要根据衬底材料的不同，可划分为以下四种类型：1）硅基氮化镓（GaN-on-Si）：作为最成熟和成本最低的衬底材料，硅基上外延氮化镓具有成本优势和快速生长速度，能够制作大尺寸外延片。2）碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）：碳化硅优异的导热性能与氮化镓的高功率密度和低损耗相结合...